法媒新工厂(L’Usine Nouvelle)于本(4)月8日报导，法国半导体创新材料商Soitec、意法半导体(STMicroelectronics)、格罗方德(GlobalFoundries)及CEA-Leti于4月7日组成联盟，表示将共同制定新一代FD-SOI(全耗尽型绝缘上覆硅)晶片技术之发展路径图；该联盟呼应了欧洲晶片法案将半导体产业科技自主权列为关键发展支柱之目标。
前述FD-SOI技术诞生于法国格勒诺勒尔(Grenoble)之产业生态系，用于物联网、汽车、人工智慧及高频等对于成本、消耗、可靠性有其限制之相关数位电路应用，可作为鳍式场效电晶体(FinFET)之替代方案。
欧洲晶片法案盼在晶片朝向低能源消耗之开发竞赛及发展产业自主性方面，能拥有其独特优势，然而目前在晶片微型化的路途上，欧洲仅有意法半导体及三星的28奈米，与格罗方德的22奈米。依据FinFET技术，将进展至3奈米或是2奈米。欧洲晶片法案的目标是将晶片製造技术推展至10奈米或是7奈米。
意法半导体与三星已共同合作18奈米製程技术，预计将于邻近格勒诺勒尔的克罗勒(Crolles)工厂，由三星进行生产。另一方面，格罗方德则将开发12奈米製程，并将于德国德勒斯登(Dresde)量产。
在欧洲晶片法案架构下，CEA-Leti将建立先导产线，发展新一代DF-SOI晶片并进行工业化，然而考量各项步骤及关卡，预计2024年以后才能顺利建置，对于产业实际需要，确实为缓不济急。因此，Soitec、意法半导体、格罗方德及CEA-Leti决定即刻开展合作，以作为欧洲FD-SOI晶片技术之四大发展支柱：由Soitec供应硅片、格罗方德製造晶圆、意法半导体作为主要使用者，CEA-Leti则作为研究发展该尖端技术之主要摇篮。
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